时间：2025/6/22 6:53:17
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SH31B221K500CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及各种需要高效能功率控制的场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高耐压能力，从而显著提升了系统效率和可靠性。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，具有较快的开关速度和较低的栅极电荷，非常适合高频应用场合。
类型：N沟道增强型 MOSFET
额定电压：500V
额定电流：22A
导通电阻（最大值）：0.18Ω
栅极电荷（典型值）：45nC
连续漏极电流：22A
功耗：300W
封装形式：TO-247
SH31B221K500CT 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力（500V），适用于高压环境下的开关和控制应用。
2. 低导通电阻（最大值为 0.18Ω），有效降低了导通损耗，提高了整体效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷仅为 45nC，适合高频开关电路。
4. 热稳定性良好，能够在较高的结温下可靠运行。
5. 封装形式为 TO-247，便于散热并适应大功率应用场景。
6. 内置保护功能（部分版本），可增强器件的鲁棒性，防止过流或过热损坏。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 各类电机驱动电路，包括步进电机、直流无刷电机等。
3. DC-DC 转换器中的同步整流和主开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力转换设备。
5. 工业自动化设备中的负载控制和功率管理模块。
6. 高频功率变换电路以及其他需要高效率和高可靠性的电子系统。
STP22N50WF, IRF540N, FDP18N50
