时间：2025/7/14 15:27:05
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NVMFD5C446NLWFT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，广泛用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：3.8mΩ @ VGS = 10V
导通电阻（RDS(on)）：5.0mΩ @ VGS = 4.5V
功率耗散（PD）：170W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：PowerPAK SO-8
NVMFD5C446NLWFT1G MOSFET具备多项优异特性，包括低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率；其高电流承载能力和低热阻使其在高功率应用中表现出色。此外，该器件采用先进的工艺技术，确保了快速的开关速度，从而降低了开关损耗，提高了整体性能。
这款MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，增强了系统的稳定性和寿命。其坚固的结构设计也提供了出色的抗雪崩能力和过载保护能力，进一步提升了可靠性。
PowerPAK SO-8封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具备良好的散热性能，适合高密度电源设计。同时，该封装符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对环保材料的需求。
NVMFD5C446NLWFT1G 广泛应用于多种电力电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化控制系统等。它也非常适合用于汽车电子中的电源管理和负载切换，如车载充电器、电动助力转向系统和启停系统等。此外，在服务器电源、通信设备电源和消费类电子产品中也有广泛应用。
SiSS148DN-T1-E3, Nexperia PSMN5R9-40YS
