NVD4806NT是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。NVD4806NT特别适合在高频、高效能的应用场景中使用,能够显著降低系统功耗并提高整体效率。
该器件通常以TO-220封装形式提供,具备出色的散热能力,同时其电气参数经过优化,可以满足多种工业和消费电子应用需求。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
持续漏极电流Id:35A
导通电阻Rds(on):1.7mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷Qg:65nC(典型值)
总功耗Ptot:140W(结温为25°C时)
工作温度范围Tj:-55°C至+175°C
封装形式:TO-220
NVD4806NT具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),可有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频操作,适合现代高效能电源设计。
3. 高电流承载能力,能够承受高达35A的持续漏极电流,适用于大功率应用场景。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 内置ESD保护,提高了器件的抗静电能力,增强了可靠性。
6. 封装形式坚固耐用,易于集成到各种电路板设计中。
NVD4806NT广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC转换器,包括降压、升压和升降压拓扑结构。
3. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
4. 各类负载开关和保护电路,如过流保护和短路保护。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的功率开关元件。
IRFZ44N, FDP5800, STP36NF06