型号：IRFR3504
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：76A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：300A
　　导通电阻（Rds(on)）：9.1mΩ @ Vgs=10V, Id=38A
　　导通电阻（Rds(on)）：12.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=38A
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：2060pF @ Vds=20V
　　输出电容（Coss）：630pF @ Vds=20V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　最大功耗（Pd）：200W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

IRFR3504具备优异的开关性能和导通特性，采用了Infineon成熟的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，同时保持较低的栅极电荷Qg，使得器件在高频开关应用中能够有效降低传导损耗和开关损耗，提高整体系统效率。其典型的Rds(on)仅为9.1mΩ（在Vgs=10V时），这意味着在大电流条件下仍能保持较低的压降和发热，适用于高效率的同步整流和负载开关设计。
　　该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流高达76A，脉冲电流可达300A，使其能够在瞬态负载或启动电流较大的应用场景中稳定运行。此外，其快速的开关速度得益于低输入和输出电容，Ciss为2060pF，Coss为630pF，在20V Vds测试条件下，保证了信号响应的迅速性与稳定性。这对于DC-DC变换器中的高速PWM控制尤为重要。
　　IRFR3504还具备良好的热稳定性与可靠性，采用TO-252封装，具有较低的热阻（Rth(j-c)约为0.625°C/W），便于通过PCB散热焊盘将热量有效传导至外部环境，延长器件寿命。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其能够在严苛的工业和汽车环境中可靠运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=28ns），有助于减少在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰，提升系统EMI表现。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，能够承受一定的过压和瞬态应力，增强了系统的鲁棒性。其±20V的栅源电压耐受能力也为驱动电路设计提供了更大的安全裕度，避免因驱动信号波动导致器件损坏。总体而言，IRFR3504是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适用于对效率、尺寸和热性能有较高要求的应用场景。

IRFR3504广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高效能、低损耗开关操作的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，特别是在同步整流拓扑中作为下管或上管使用，利用其低Rds(on)特性显著提升转换效率。在便携式设备和服务器电源中，该器件可用于多相 buck 转换器设计，支持大电流输出并保持低温升。
　　在电机驱动领域，IRFR3504可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，实现正反转控制与调速功能。其高电流能力和快速开关特性确保了电机响应的灵敏性和运行的平稳性。此外，在电池供电系统中，例如电动工具、无人机或储能设备，该MOSFET可作为主开关或保护开关，用于接通/断开负载或实现充放电管理。
　　在汽车电子中，IRFR3504可用于车载电源模块、LED照明驱动、继电器替代或电磁阀控制等应用。其宽温工作范围和高可靠性满足汽车级应用的基本需求。此外，在工业控制系统中，该器件可用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）以及各类数字负载开关，提供比传统机械继电器更快的响应速度和更长的使用寿命。
　　由于其DPAK封装体积小且支持自动化贴装，IRFR3504也常见于空间受限的高密度PCB设计中，如通信基站电源、笔记本电脑适配器、USB PD充电器等消费类电子产品。其综合性能使其成为中低压功率开关应用中的优选器件之一。

IRL3803,IRFB3607,IRFB4110,SI4404DY