IRFR310T 是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。这款器件主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其设计优化了开关性能和热稳定性,使其非常适合于电源管理、电机控制以及各类工业电子设备。
该型号采用TO-247封装形式,具有较大的散热片,适合大功率应用场合。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:38A
导通电阻:1.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:69nC(典型值)
总功耗:140W
工作结温范围:-55℃至+175℃
IRFR310T 具有非常低的导通电阻,可以显著降低传导损耗,从而提高整体系统的效率。
该器件采用了先进的功率半导体技术,确保了在高频开关条件下的高性能表现。
此外,它的热阻较低,有助于提升长期运行的可靠性。
其坚固的设计允许它在恶劣环境下保持稳定运行,例如高温或振动等条件下。
该MOSFET广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、不间断电源(UPS)、逆变器、电动工具驱动电路以及各类工业控制系统中。
由于其低导通电阻和高电流处理能力,也适用于需要高效能量转换的电动汽车充电站和可再生能源系统中的功率调节模块。
IRFP310T, IRFZ31N