PHP95N03LT 时间：2025/12/27 20:51:21 阅读：13

PHP95N03LT是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的STripFET? F7系列技术制造。该器件专为高效率开关应用设计，尤其适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其封装形式为PowerFLAT? 5x6-8L，具有较小的占位面积和优良的热性能，适合对空间要求较高的紧凑型电子设备。该MOSFET具备低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力以及良好的栅极电荷特性，能够在高频开关条件下保持较低的导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统能效。此外，PHP95N03LT符合RoHS环保标准，并具备高可靠性与耐用性，广泛应用于工业控制、消费类电子产品及通信设备中。

参数

产品类型：MOSFET
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：95A
　　脉冲漏极电流(IDM)：380A
　　导通电阻(RDS(on) max)：3.4mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on) max)：4.2mΩ @ VGS = 4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：1.2V ~ 2.5V
　　栅极电荷(Qg) typ：53nC @ VGS = 10V
　　输入电容(Ciss) typ：2420pF
　　反向恢复时间(trr) typ：30ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装/外壳：PowerFLAT? 5x6-8L

特性

PHP95N03LT基于STMicroelectronics最新的STripFET? F7工艺技术，该技术通过优化硅片结构和单元密度，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻和寄生参数。其超低的RDS(on)值在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，典型值在10V栅压下仅为3.4mΩ，这使得器件在大电流工作状态下能够有效减少I2R损耗，提升系统效率并降低散热需求。器件具有优异的热稳定性，得益于PowerFLAT?封装底部暴露的散热焊盘设计，热量可高效传递至PCB，增强了持续高负载下的运行可靠性。
　　该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg），典型值为53nC，有助于减少驱动电路的功耗，特别适用于高频开关应用如同步整流、多相降压变换器等。同时，其米勒电荷（Qsw）也经过优化，有效抑制了开关过程中的电压振荡和直通风险，提升了系统的电磁兼容性和动态响应能力。输入电容Ciss约为2420pF，输出电容Coss为670pF，反向恢复时间trr仅为30ns，表明体二极管具有快速恢复特性，减少了反向恢复能量损耗，避免了因二极管拖尾电流引起的额外开关损耗。
　　PHP95N03LT的工作结温可达+175°C，具备出色的高温工作能力，适合在严苛环境条件下稳定运行。其阈值电压范围为1.2V至2.5V，支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V控制器驱动，简化了驱动电路设计。器件还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了在突发故障情况下的鲁棒性。此外，该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高，适用于汽车级应用场合，例如车载电源模块或电动工具控制系统。

应用

PHP95N03LT广泛应用于需要高效、高电流密度开关解决方案的各类电力电子系统中。常见用途包括但不限于：同步整流型DC-DC降压变换器（Buck Converter），特别是在服务器、笔记本电脑和通信设备的多相供电架构中作为下管或上管使用；用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，凭借其低导通电阻实现最小压降和发热；在电机驱动电路中作为H桥或半桥拓扑的开关元件，适用于无人机、电动工具和小型机器人等设备；还可用于负载开关、热插拔控制器、OR-ing二极管替代方案以及隔离开关等应用场景。
　　由于其封装小巧且散热性能良好，该器件非常适合空间受限但功率密度要求高的便携式电子产品，如移动电源、智能手持终端和嵌入式工控主板。在工业自动化领域，常用于PLC输出模块、继电器驱动电路和传感器电源管理单元。此外，在LED照明驱动电源中，也可作为主开关或同步整流管使用，以提高整体光效和能效等级。凭借其高可靠性和宽温度范围，PHP95N03LT同样适用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统电源、ADAS传感器供电模块以及车身控制模块中的功率切换功能。