类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：1 A
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　导通电阻Rds(on)：典型值7.0 Ω（Vgs = 10 V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值30 pF
　　输出电容（Coss）：典型值18 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值28 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 ℃
　　封装形式：SOT-223

2SK2433的主要特性之一是其高达500V的漏源击穿电压，使其非常适合用于离线式开关电源等高压应用场合。在实际工作中，即使面对瞬时过压或负载突变的情况，该器件也能保持稳定的电气性能，避免因电压击穿导致的失效问题。
　　另一个显著特点是其优化的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) × Qg），这一参数直接关系到MOSFET在开关过程中的能量损耗。通过降低这一乘积，2SK2433能够在高频开关条件下有效减少动态损耗，从而提升整个电源系统的转换效率。
　　该器件采用了SOT-223小型化封装，不仅节省了PCB布局空间，而且具备良好的散热能力。其底部金属片可直接焊接至大面积铜箔，实现高效的热量传导，确保在持续大电流工作时芯片结温不会过高，延长使用寿命。
　　2SK2433还具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够在非钳位感性关断测试中承受一定的能量冲击，这对于防止电感负载切换过程中产生的反向电动势损坏器件至关重要，尤其在电机驱动和继电器控制电路中表现优异。
　　此外，该MOSFET具有较低的栅极驱动需求，可在标准逻辑电平（如10V驱动）下充分导通，兼容常见的驱动IC输出，简化了外围驱动电路设计。同时，其输入和输出电容较小，有助于减少开关延迟和电磁干扰（EMI），提高系统整体的电磁兼容性。

2SK2433常被用于多种中低功率的电力电子系统中，尤其是在需要高电压隔离和高效能转换的电源拓扑结构里发挥重要作用。典型应用包括反激式（Flyback）和正激式（Forward）开关电源，这类电源常见于适配器、充电器和工业电源模块中，利用2SK2433的高耐压和低导通损耗特性来实现紧凑且高效的能量转换。
　　在DC-DC升压或降压转换器中，2SK2433作为主开关元件，能够以较高的开关频率运行，从而减小磁性元件（如电感和变压器）的体积，提高功率密度。这种特性使其广泛应用于便携式电子设备、LED照明驱动电源以及嵌入式系统供电单元中。
　　此外，该器件也可用于电机控制电路中的低端开关，驱动小型直流电机或步进电机，在家电控制板、办公自动化设备和小型机器人系统中有良好表现。由于其具备一定的过载承受能力，即使在启动瞬间出现较大电流冲击，也能可靠工作而不易损坏。
　　在工业自动化领域，2SK2433还可用于固态继电器（SSR）、电磁阀驱动和传感器电源管理模块中，提供快速响应和长寿命的开关功能。其SOT-223封装便于自动化贴装，适合大规模生产使用。
　　由于其良好的温度特性和长期稳定性，2SK2433也适用于环境条件较为严苛的户外设备或工业现场控制系统，如监控摄像头电源、远程数据采集终端等，保障系统长时间无故障运行。

2SK2434, 2SK2435, FJPF1N50, STP1N50, 2SK2963