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IRFR2407TRPBF 发布时间 时间:2025/6/21 0:39:29 查看 阅读:2

IRFR2407TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管,采用TO-247封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
  这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,能够通过栅极电压控制漏极与源极之间的电流流动。由于其卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于工业、汽车及消费类电子领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大漏极电流:198A
  导通电阻(典型值):1.3mΩ
  栅极电荷:165nC
  总栅极电荷:250nC
  功耗:320W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

IRFR2407TRPBF具备超低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外,该器件还具有快速开关特性,能够在高频应用中保持较低的开关损耗。
  其坚固的设计和宽广的工作温度范围使其非常适合恶劣环境下的应用。同时,TO-247封装形式提供了良好的散热性能,便于实现高效的热管理。
  为了确保长期稳定性和可靠性,该器件采用了先进的制造工艺,并经过严格的测试流程。

应用

IRFR2407TRPBF主要用于各种高功率密度的电力电子设备中,如:
  1. 开关模式电源(SMPS)。
  2. DC-DC转换器。
  3. 电机驱动和逆变器。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 新能源领域,例如太阳能微逆变器和电动汽车充电系统。
  这些应用都受益于该器件出色的电气性能和可靠性,可以显著提升系统的整体表现。

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IRFR2407TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR2407PBFTRIRFR2407TRPBF-NDIRFR2407TRPBFTR-ND