FTZU6.2E 时间：2025/12/25 11:36:51 阅读：17

FTZU6.2E是一款由ONSEMI（安森美）生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路中的过压保护。该器件属于齐纳二极管类型，专为吸收瞬态电压尖峰和静电放电（ESD）而设计，广泛应用于电源线路、信号线以及敏感电子元件的保护中。FTZU6.2E采用SOD-123FL小型表面贴装封装，具有紧凑的尺寸和优良的热性能，适用于空间受限的高密度PCB布局。其标称击穿电压为6.2V，在正常工作条件下表现为高阻抗状态，当电压超过阈值时迅速切换至低阻抗状态，将过压能量泄放到地，从而保护后级电路不受损害。该器件符合AEC-Q101汽车级认证标准，具备高可靠性和稳定性，适合在工业控制、消费电子、通信设备及汽车电子等多种环境中使用。

参数

类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　极性：双向
　　反向关态电压（Vrwm）：6.2V
　　击穿电压（Vbr）：最小6.89V，最大7.59V
　　钳位电压（Vc）：10.5V @ Ipp = 1.2A
　　峰值脉冲电流（Ipp）：最大1.2A
　　峰值脉冲功率（Ppk）：150W（8/20μs波形）
　　漏电流（Ir）：最大5μA @ Vrwm
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　无铅状态：符合RoHS指令，无卤素

特性

FTZU6.2E具备出色的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应并箝制突发的高压脉冲，有效防止因雷击感应、开关噪声或静电放电对下游电路造成的损坏。其双向结构设计使其能够同时应对正负方向的瞬态过压事件，特别适用于交流信号线或双极性供电系统的保护场景。该器件采用了先进的硅PN结制造工艺，确保了精确的击穿电压控制和稳定的电气性能，批次间一致性好，适合自动化贴片生产和大规模应用。由于其低漏电流特性，在待机或低功耗模式下不会显著增加系统功耗，有助于提升整体能效表现。
　　此外，SOD-123FL封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），还优化了散热路径，提高了单位面积下的功率承受能力。这种封装形式支持回流焊工艺，与现代SMT生产线完全兼容，提升了制造效率和可靠性。FTZU6.2E通过了IEC 61000-4-2（ESD ±15kV空气/±8kV接触）、IEC 61000-4-4（EFT ±2kV）等关键电磁兼容性测试标准，证明其在严苛电磁环境下的防护有效性。器件内部无引线键合结构，增强了机械强度和振动耐受性，尤其适合汽车电子中频繁启停和温度剧烈变化的应用条件。得益于AEC-Q101认证，它可在高温引擎舱或外部传感器接口中长期稳定运行，满足车规级产品对寿命和安全性的严苛要求。

应用

广泛用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑的USB接口ESD保护；工业自动化控制系统中的传感器信号线防护；车载信息娱乐系统、CAN总线节点及电池管理系统（BMS）中的瞬态抑制；通信基站、路由器和光模块中的数据线保护；家用电器控制板、电源适配器输出端的过压箝位。也可作为微处理器、FPGA、ADC/DAC等精密IC的前端保护元件，保障系统在复杂电磁环境下的正常运行。