时间：2025/5/16 11:48:10
阅读：12
SIC450ED-T1-GE3是一款基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET功率器件，具有高耐压、低导通电阻和快速开关性能的特点。该器件适用于高频开关电源、电机驱动、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等高效能应用领域。其采用TO-247封装形式，能够有效提高散热性能和可靠性。
碳化硅材料的应用使得该器件在高温环境下依然保持稳定的工作状态，并且显著降低了能量损耗。这使其成为传统硅基功率器件的理想升级替代方案。
额定电压：1200V
额定电流：45A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：90nC
反向恢复时间：60ns
工作结温范围：-55℃ to +175℃
1. 采用先进的碳化硅技术，具备更高的效率和更低的能量损耗。
2. 高频开关能力，支持更高频率下的稳定运行，有助于减少无源元件的体积。
3. 耐高温性能优越，在极端温度条件下仍能保持稳定的电气特性。
4. TO-247封装形式提供良好的散热性能和机械稳定性。
5. 内置反并联二极管，简化电路设计并增强系统可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业需求。
1. 高效开关电源（SMPS）
2. 太阳能光伏逆变器
3. 电动汽车车载充电器及充电桩
4. 工业电机驱动与控制
5. 不间断电源（UPS）系统
6. 高频DC-DC转换器
SIC450ED-T1-G, CMF45H120DZ, SCT24N120
