时间：2025/8/24 13:51:21
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IRFR224BTR 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，适用于各种电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。IRFR224BTR 采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，同时封装体积小巧，适合空间受限的设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：15A（@25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：60A
功耗（Ptot）：1.8W
Rds(on)：最大 80mΩ（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
IRFR224BTR 的最大特点在于其优异的导通性能和开关速度，这得益于其低 Rds(on) 和先进的沟槽结构设计。该器件在高频率工作条件下表现出色，能够显著降低开关损耗，提高整体系统的能效。
此外，IRFR224BTR 具有良好的热稳定性，在高负载情况下依然能够保持稳定工作，减少因温度升高而导致的性能下降。其高栅极电压耐受能力（±20V）也提升了在复杂电路环境中的可靠性。
采用 TO-252（DPAK）封装，IRFR224BTR 不仅具备良好的散热性能，还便于自动化生产和 PCB 安装，适合批量生产应用。该封装形式在工业电源、汽车电子和消费类电子产品中均有广泛应用。
IRFR224BTR 主要应用于需要高效率功率开关的场合。常见的应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和工业自动化控制系统。
在汽车电子领域，IRFR224BTR 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用。其高可靠性和宽工作温度范围使其特别适合严苛的汽车环境。
在消费类电子产品中，该器件可用于电源适配器、智能电源插座、LED 照明驱动器等应用，帮助实现小型化和高效能的设计目标。
SiHF15N100E, FDPF15N10A, IRF224S, IRF2907Z
