型号：2SJ275
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-5A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-15A
　　导通电阻Rds(on)：0.055Ω（@Vgs = -10V）
　　导通电阻Rds(on)：0.07Ω（@Vgs = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1V ~ -2.5V
　　最大功耗（Pd）：1W（@25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SJ275的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。在Vgs = -10V条件下，其典型Rds(on)仅为55mΩ，而在实际应用中常见的-4.5V驱动电压下也能保持70mO左右的低阻值，这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以减少发热并延长电池寿命。这种低Rds(on)得益于东芝先进的沟槽型MOSFET制造工艺，该工艺优化了载流子流动路径，提升了单位面积的电流承载能力。
　　另一个关键特性是其良好的开关性能。2SJ275具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着它可以在高频开关应用中快速开启和关断，从而减少开关损耗。这一特性使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器和PWM控制电路等对动态响应要求较高的场合。同时，由于其P沟道结构，在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现有效的电压驱动，简化了电源设计并降低了系统成本。
　　热稳定性方面，2SJ275表现出色。其最大功耗为1W（在25°C环境下），并且具有较低的热阻（Rth(j-a)），有助于将内部产生的热量有效传导至PCB板上，避免局部过热导致器件失效。器件的结温范围达到-55°C至+150°C，表明其可在高温工业环境或低温户外条件下稳定运行，增强了系统的环境适应性。
　　此外，2SJ275还具备一定的安全工作区（SOA）保护能力，能够在瞬态过载情况下维持一定时间的正常工作，提高了系统鲁棒性。虽然没有集成体二极管保护，但其内置的寄生体二极管可在某些应用中起到续流作用，例如在感性负载切换时提供反向电流路径。总的来说，这些特性使2SJ275成为一款适用于多种中低压功率开关场景的高性能P沟道MOSFET。

2SJ275广泛应用于各类需要高效能功率控制的电子系统中。最常见的用途之一是作为高边或低边开关，用于控制负载的通断，例如在便携式设备中实现电池供电的启停管理。由于其P沟道特性，特别适合用于高边开关配置，此时只需将栅极拉低即可导通，无需复杂的驱动电路，大大简化了设计复杂度，降低了整体成本。这种应用常见于智能手机、平板电脑、数码相机和其他移动设备的电源管理系统中。
　　在DC-DC转换器领域，2SJ275常被用作同步整流器或主开关元件，尤其适用于降压（Buck）转换器的上管或下管位置。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率，减少能量损耗，满足现代电子产品对节能和小型化的需求。此外，在LED驱动电路中，2SJ275可用于调节LED亮度或实现多路LED的选择性点亮，凭借其稳定的电流控制能力和良好的热性能，确保照明系统的长期可靠性。
　　工业控制和自动化系统也大量采用2SJ275，例如在继电器驱动、电机速度控制、电磁阀开关等场景中作为功率开关元件。其宽工作温度范围和较强的抗干扰能力使其能在较为严苛的工业环境中稳定运行。在汽车电子中，该器件可用于车身控制模块、车灯控制、风扇调速等非引擎舱内的低压控制系统，尽管需注意其电压等级是否满足车载电气系统的波动要求。
　　此外，2SJ275还可用于逆变器电路、UPS不间断电源、充电器管理单元以及各种消费类电子产品中的电源切换模块。其小型SOT-23封装有利于节省PCB空间，适合高密度组装工艺，支持自动化贴片生产，进一步提升了其在现代电子制造中的适用性。

2SJ323, 2SJ162, DMP2008UFG, FDN360P