类型：N沟道JFET
　　漏极电流（IDSS）：10mA（典型值）
　　夹断电压（VGS(off)）：-0.5V 至 -5.0V
　　跨导（Gm）：2000μS（最小值）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：25V
　　栅源击穿电压（BVGSS）：-25V
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-72、TO-92等

2N958作为一款N沟道JFET，具有许多独特的电气和物理特性。其最重要的特性之一是低噪声性能，这使得它非常适合用于前置放大器和其他高灵敏度电路。此外，2N958的高输入阻抗使其在模拟信号处理中表现出色，能够有效减少对信号源的负载影响。
　　该器件的夹断电压（VGS(off)）范围较宽，通常在-0.5V至-5.0V之间，因此在设计电路时需要根据具体情况进行偏置调整。2N958的跨导（Gm）值较高，通常可以达到2000μS以上，这有助于提高放大器的增益性能。
　　漏源击穿电压（BVDSS）为25V，确保了该器件在一般低电压放大应用中的稳定性。栅源击穿电压（BVGSS）为-25V，提供了良好的保护能力，防止因栅极电压过高而导致器件损坏。
　　2N958的功耗为300mW，能够在相对较高的温度环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于多种工业和商业应用环境。封装形式主要包括TO-72和TO-92，便于在不同类型的电路板上安装。

2N958由于其低噪声和高输入阻抗特性，常用于音频放大器、射频（RF）放大器和模拟信号处理电路。它特别适合用作前置放大器，例如在麦克风放大器、吉他效果器和仪表放大器中。
　　在音频应用中，2N958能够提供高质量的声音放大，减少噪声干扰，提升音频系统的整体表现。在射频应用中，该器件的高频性能使其成为理想的低噪声放大器（LNA）选择，适用于无线通信和接收设备。
　　此外，2N958也常用于测试设备和测量仪器中，作为信号放大和处理的核心元件。它的稳定性和可靠性使其成为许多模拟电路设计者的首选JFET之一。

J201, 2N5457, BF245C