类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：550V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：12A（在Tc=100℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：48A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：65W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-247LL

STD55NH2LL-1-E具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率密度和高能效应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET采用先进的超结结构，显著降低了导通电阻（RDS(on)），同时减少了开关损耗。这种结构使得器件在高电压下仍能保持优异的导电性能，适用于高频率开关应用，如PFC（功率因数校正）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块。
　　其次，该器件具有较高的电流承载能力，在连续工作条件下可支持高达12A的漏极电流，且在短时间脉冲条件下可承受高达48A的电流。这使其适用于需要高瞬态电流响应的应用场景，如电机驱动和工业电源。
　　此外，STD55NH2LL-1-E采用了低电感的TO-247LL封装形式，有助于降低开关过程中的寄生电感效应，从而减少电压尖峰和电磁干扰（EMI）。该封装还具备良好的散热性能，提高了器件在高功率应用中的稳定性和可靠性。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准的10V和12V栅极驱动电路，同时具备较高的抗过压能力，增强了器件的适用性和安全性。
　　综上所述，STD55NH2LL-1-E凭借其低导通电阻、高耐压、高电流能力和优化的封装设计，成为高性能功率转换应用的理想选择。

STD55NH2LL-1-E广泛应用于各类高功率电子设备中，尤其适合于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
　　在电源领域，该器件常用于PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器、AC-DC电源模块以及高效率的开关电源（SMPS）。由于其低导通电阻和优异的开关性能，能够有效降低能量损耗，提高整体电源转换效率。
　　在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机及伺服系统，其高电流承载能力和良好的热稳定性确保了电机在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，该器件还可用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备、LED照明电源等新兴能源应用中，助力实现高效、环保的能源转换解决方案。
　　在消费类电子产品中，如高功率音响、游戏机电源、高端家用电器等，该MOSFET也发挥着关键作用，为设备提供稳定、高效的电力支持。

STD55NH2L-1-E, STF55NM50N, STF55NH2LL-1-E