HY628100 时间：2025/9/2 6:38:53 阅读：19

HY628100是一种静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由Hynix（现为SK Hynix）生产。该芯片具有128K x 8位的存储容量，即总共1M位的存储空间。HY628100以其高速度和低功耗特性，广泛应用于需要快速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备中。这种SRAM芯片通常采用标准的TSOP或SOJ封装形式，适用于各种需要高可靠性和高性能的电子设备。

参数

容量：128K x 8位
　　电压：5V
　　访问时间：10ns
　　封装类型：TSOP, SOJ
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）

特性

HY628100 SRAM芯片的高速度是其主要特性之一，访问时间仅为10ns，使得它非常适合需要快速数据读写的应用场景。该芯片的工作电压为5V，这与许多微控制器和其他数字电路的电源要求相匹配，简化了系统设计。此外，HY628100的低功耗设计有助于减少设备的总体能耗，提高系统的能效。
　　该芯片还具有良好的数据保持能力，在电源稳定的情况下能够可靠地保存数据，无需频繁刷新。封装方面，HY628100通常采用TSOP（薄型小外形封装）或SOJ（小外形J引脚封装），这些封装形式适合高密度PCB布局，并且便于自动化生产和焊接。
　　在可靠性方面，HY628100具有宽广的工作温度范围，通常为-40°C至+85°C，因此非常适合工业控制、通信设备和自动化系统等环境条件较为苛刻的应用。

应用

HY628100 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统中。例如，在工业控制设备中，它可以作为缓存或临时数据存储器，用于存放关键运行数据或缓冲处理中的信息。在通信设备中，HY628100可用于高速数据交换，提高数据传输效率。
　　此外，该芯片还常见于测试设备、测量仪器和嵌入式控制系统中，用于存储程序变量、缓冲数据或作为帧缓冲器。由于其高速和低功耗特性，HY628100也适用于便携式设备和电池供电系统，有助于延长设备的续航时间。