容量：512 Kbit (64KB)
　　组织结构：64K × 8
　　供电电压：+5V ±10%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：28-pin DIP（带石英窗口）
　　访问时间（典型值）：150 ns / 200 ns（根据速度等级）
　　编程电压（Vpp）：+12.5V 或 +21V（取决于编程模式）
　　待机电流（ICC1）：≤ 100 μA
　　工作电流（ICC2）：≤ 75 mA
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　输出驱动能力：8个负载（标准TTL）
　　编程脉冲宽度：50 μs（典型）
　　紫外线擦除时间：约15～20分钟（使用253.7 nm波长光源）
　　耐擦写次数：≥ 1000 次
　　数据保持时间：≥ 10年（在额定环境条件下）

LD27C512具备多项关键特性，使其在EPROM时代成为可靠的程序存储解决方案。首先，它采用高性能的浮栅CMOS技术制造，确保了优异的数据保持能力和抗干扰性能。其内部存储阵列为64K×8位结构，支持字节级读取操作，访问时间最快可达150ns，满足大多数8位和16位微处理器系统的时序要求。该器件支持两种编程电压模式：+12.5V和+21V，用户可根据编程器规格选择合适的工作方式，提高了编程灵活性。
　　其次，LD27C512集成了片选（CE）、输出使能（OE）和编程使能（PGM）控制信号，允许精确的地址锁存与数据写入控制。在待机模式下，通过将CE置为高电平，芯片进入低功耗状态，显著降低系统整体能耗，适用于对功耗敏感的应用场景。此外，其输出端具备三态缓冲功能，可直接连接到数据总线上，支持多设备共享总线架构。
　　另一个重要特性是其物理结构设计：DIP28封装顶部设有透明石英窗口，允许紫外线穿透以完成整片擦除操作。这一机制保证了内容可重复修改，同时防止意外写入。为保护芯片免受环境光影响，出厂时通常配有不透明标签覆盖窗口，使用时需注意避免长时间暴露于强光下以防数据丢失。
　　LD27C512还具备良好的温度适应性和长期数据保持能力，在正常存储条件下可维持数据超过十年。尽管现代系统已普遍转向Flash技术，但该芯片因接口简单、无需复杂驱动即可进行读操作，仍在教学实验、原型开发及工业设备维修中保有一定应用价值。其引脚定义与行业标准完全兼容，简化了电路设计与替换过程。

LD27C512主要用于需要外部非易失性程序存储的各类电子系统中。在早期的微控制器应用中，当主控芯片内部ROM容量不足或不可编程时，常外接LD27C512用于存放固件代码。例如，在工业自动化控制系统中，PLC模块或人机界面设备利用该芯片存储启动程序和配置信息，确保断电后程序不丢失。在通信领域，调制解调器、路由器和交换机的旧型号产品也常采用此类EPROM作为Bootloader存储介质。
　　在消费类电子产品方面，LD27C512曾广泛应用于电视机、音响设备、DVD播放机等家电产品的主板上，用于存储设备初始化代码和菜单逻辑。在计算机外围设备中，如打印机、绘图仪和磁盘控制器卡中，该芯片也被用来保存固件指令集。
　　此外，由于其易于读取且无需额外电源维持数据的特点，LD27C512在教育和科研领域广泛应用。许多高校的电子工程实验室使用该芯片进行存储器原理教学、汇编语言编程实验以及单片机系统搭建实践。工程师和技术人员也可借助该器件进行逆向工程分析或旧设备修复。
　　在军事和航空航天领域的一些遗留系统中，出于可靠性验证和备件延续性考虑，仍然保留使用LD27C512的情况。虽然新型设计已不再采用此类器件，但在系统维护、故障诊断和备件替换过程中，了解其应用背景仍具有现实意义。