时间：2025/6/20 9:37:22
阅读：3
IRFR13N20D 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装，适用于需要高效率和低损耗的开关应用。其额定电压为 200V，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
IRFR13N20D 通常用于电源管理、电机控制、逆变器以及其他工业电子设备中，能够提供高效的功率转换和可靠的性能表现。
最大漏源极电压：200V
最大连续漏极电流：15A
最大脉冲漏极电流：60A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（典型值，在 VGS=10V 时）：0.18Ω
总栅极电荷：45nC
开关时间（典型值）：开通时间 45ns，关断时间 35ns
工作结温范围：-55℃~175℃
IRFR13N20D 的主要特点包括：
1. 高电压承受能力（200V），适合各种高压应用场景。
2. 低导通电阻（RDS(on) 典型值为 0.18Ω），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，减少电磁干扰和热损耗。
4. 较高的雪崩击穿能量（EAS），增强了器件在过载条件下的可靠性。
5. 良好的热稳定性和耐用性，能够在极端温度范围内正常工作。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
IRFR13N20D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. DC/DC 转换器及 AC/DC 整流模块。
5. 电池充电器和 UPS 不间断电源设备。
6. 各种高压大电流开关电路的设计与实现。
IRFP250N, IRFZ24N, STP15NF20
