型号：2SA1797L-A-AB3-R
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-5.0A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-14A
　　导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.3V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@ VDS = 10V）
　　输出电容（Coss）：280pF（@ VDS = 10V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ VDS = 10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：16ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP Advance (SOP-8)
　　安装方式：表面贴装
　　功耗（PD）：1.5W（@ TA=25°C）

2SA1797L-A-AB3-R的电气特性使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，尤其在大电流负载切换应用中优势明显。该器件在VGS=-4.5V时RDS(ON)仅为33mΩ，在VGS=-2.5V时也仅为42mΩ，说明其在低电压驱动条件下仍能保持良好的导通性能，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接控制的场合。这种低阈值特性减少了对额外电平转换电路的需求，从而节省了PCB空间和系统成本。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，开启延迟时间和关断延迟时间分别仅为8ns和16ns，保证了快速响应和高效开关操作，适合用于高频PWM调制和同步整流等高速应用场景。其输入、输出和反向传输电容值经过优化，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰，提升系统稳定性。
　　器件采用先进的沟槽型MOS工艺制造，增强了载流子迁移率和热传导效率，使芯片在高电流密度下仍能保持较低温升。同时，其150°C的最大结温确保了在高温环境下长期工作的可靠性。SOP Advance封装不仅体积小巧，还通过优化引脚布局和内部结构提升了散热性能和机械强度，适合在空间受限的高密度电路板上使用。
　　此外，2SA1797L-A-AB3-R符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101汽车级认证，表明其在振动、湿度、温度循环等严苛条件下的耐用性达到了汽车行业的要求，可用于引擎控制单元、车身电子、车载充电器等关键系统。内置的栅极保护结构提供了较强的静电放电（ESD）耐受能力，进一步增强了器件在生产、装配和运行过程中的安全性。

2SA1797L-A-AB3-R主要应用于需要高效电源控制和负载管理的电子系统中。典型用途包括便携式设备中的电池供电切换电路，例如智能手机和平板电脑中主处理器与备用电源之间的切换控制。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为理想的选择，能够有效降低电压降和发热问题，延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换器电路中，该器件常被用作高端开关或同步整流器，配合N沟道MOSFET实现高效的电压变换。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由微控制器或电源管理IC控制，无需额外的驱动电路，简化了设计复杂度。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、电动门窗控制模块以及车载充电器中的电源开关部分。其AEC-Q101认证和宽工作温度范围使其能够在发动机舱附近或极端气候条件下可靠运行。
　　工业控制设备如PLC模块、传感器供电单元、电机驱动电路也广泛采用此类器件进行电源通断控制。此外，它还可用于USB电源开关、热插拔电路、电池备份系统等需要快速响应和高可靠性的场景。得益于其小型化封装，2SA1797L-A-AB3-R特别适合高密度贴装的现代电子产品，满足轻薄化设计趋势。

TPSMB1797L,AOZ4797