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IRFR120ZTRPBF 发布时间 时间:2025/5/27 16:32:57 查看 阅读:13

IRFR120ZTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高压功率 MOSFET,属于 IRFR 系列。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。
  这款 MOSFET 的额定电压为 600V,能够承受较高的漏源极电压,同时具备出色的热稳定性和可靠性。其封装形式为 TO-247-3,具有较大的散热面积,便于在高功率应用场景中实现高效散热。

参数

类型:MOSFET
  额定电压:600V
  额定电流:12A
  导通电阻:1.8Ω
  栅极电荷:55nC
  最大功耗:190W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRFR120ZTRPBF 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力:额定电压高达 600V,适合应用于高压环境。
  2. 低导通电阻:仅为 1.8Ω,降低了导通损耗,提高了效率。
  3. 快速开关性能:具有较低的栅极电荷,可实现高频操作,减少开关损耗。
  4. 强大的散热性能:采用 TO-247-3 封装,提供了良好的散热路径,确保在高功率下稳定运行。
  5. 广泛的工作温度范围:支持从 -55℃ 到 175℃ 的工作温度区间,适应各种恶劣环境。
  6. 可靠性高:经过严格测试,保证长期使用的稳定性。

应用

IRFR120ZTRPBF 常用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):适用于各种高频开关电源设计,提供高效的电力转换。
  2. DC-DC 转换器:用于工业和汽车电子中的直流电压转换。
  3. 电机驱动:控制电机的速度和方向,广泛应用于家用电器、工业设备等领域。
  4. 逆变器:用于太阳能发电系统和其他需要将直流电转换为交流电的应用。
  5. PFC (功率因数校正):提高用电设备的功率因数,减少谐波失真。

替代型号

IRFP460N, STP12NK60Z, FDP18N60C

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IRFR120ZTRPBF参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫欧 @ 5.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds310pF @ 25V
  • 功率 - 最大35W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)