时间：2025/6/20 9:34:37
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IPB80N06S2L-09 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 河道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种电源管理和电机驱动应用。
该芯片主要设计用于需要高效能和低损耗的场景，如 DC-DC 转换器、开关电源、电机控制器等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：87nC
总电容：3050pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPB80N06S2L-09 提供了卓越的性能表现，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，从而降低传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 80A 的连续漏极电流。
3. 快速开关能力，得益于较低的栅极电荷和输出电荷，减少了开关损耗。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
5. 小封装设计，便于布局和安装，同时具备优异的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的高频转换。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
4. LED 驱动器和照明系统。
5. 各类工业自动化设备中的负载切换功能。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源解决方案。
IPW80N06S2L-09, IPP80N06S2L-09
