时间：2025/8/25 7:31:14
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RURG3090CC是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等场景。RURG3090CC采用紧凑的封装形式，便于在空间受限的设计中使用，并具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
最大漏极电流（ID）：18A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：14mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSON10
功率耗散（PD）：2.8W
栅极电荷（Qg）：14nC
漏极电容（Ciss）：720pF
RURG3090CC具备多项优异特性，使其适用于各种高效率功率转换应用。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件的高电流承载能力（18A连续漏极电流）使其适用于高功率密度设计。此外，RURG3090CC采用了Rohm的沟槽栅极技术，提供了更快的开关速度和更低的开关损耗，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。
RURG3090CC的TSON10封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至10V），使其能够与多种控制器和驱动器兼容。此外，RURG3090CC具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。
该MOSFET还具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于提高开关速度并减少驱动损耗。其优异的EMI（电磁干扰）性能使其适用于对电磁兼容性要求较高的应用，如汽车电子和工业自动化设备。RURG3090CC的设计使其在高温环境下仍能保持稳定性能，确保长期可靠运行。
RURG3090CC广泛应用于多种功率电子设备，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。它特别适用于需要高效率和小尺寸设计的便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。此外，RURG3090CC还可用于工业控制系统、自动化设备和汽车电子系统，提供高效的功率管理解决方案。
在电源管理应用中，RURG3090CC可用于同步整流、负载切换和功率因数校正（PFC）电路，提高整体系统效率。在电机控制应用中，该器件可用于H桥驱动电路，实现电机的高效控制。在电池管理系统中，RURG3090CC可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池的安全运行。
由于其优异的开关性能和低导通电阻，RURG3090CC也适用于高频开关电源和高效能电源适配器。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块，提供高效可靠的功率控制解决方案。
SiR142DP-T1-GE、FDMS86180、R6004END、IPD90N03S4-03
