时间：2025/4/29 8:56:47
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CRTT055N10N是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），由英诺赛科（Innoscience）生产。该器件采用了先进的8英寸硅基氮化镓工艺，具有高功率密度、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高频高效电源转换应用，例如数据中心电源、通信电源和工业电机驱动等领域。
该芯片通过优化设计实现了更小的封装尺寸和更高的效率，同时具备良好的热性能和可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：5.5A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：30nC
输入电容：1200pF
输出电容：160pF
反向传输电容：25pF
工作温度范围：-55℃至150℃
CRTT055N10N具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，支持MHz级别的开关频率，非常适合高频应用。
3. 小型化的DFN8x8封装形式，有助于节省PCB空间并简化布局。
4. 内置ESD保护电路，增强器件的抗静电能力。
5. 高度可靠的硅基氮化镓技术，提供长期稳定的性能表现。
6. 支持硬开关和软开关两种模式，适应多种应用场景需求。
该器件广泛应用于各种电力电子设备中，具体包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS），如AC-DC适配器和USB-PD快充头。
2. 数据中心和服务器电源模块。
3. 通信基站中的DC-DC转换器。
4. 工业自动化领域的伺服驱动和逆变器。
5. 汽车电子中的车载充电器（OBC）及DC-DC变换器。
6. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关产品。
CRTT060N10L, INN650D02
