时间：2025/6/14 18:41:22
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GA1210Y561MXLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适合在高频开关条件下使用。
此型号是经过优化设计的增强型N沟道MOSFET，能够在广泛的电压范围内提供稳定的工作性能。其封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产。
最大漏源电压：120V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：40mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：导通延迟时间18ns，关断延迟时间35ns
工作结温范围：-55℃至175℃
GA1210Y561MXLAR31G的主要特点是其低导通电阻和快速开关能力，这使得它非常适合用于需要高效能和低损耗的应用场景。
此外，该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行。同时，其紧凑的封装设计有助于节省电路板空间，提高整体系统的集成度。
由于采用了先进的屏蔽栅极技术，该芯片能够有效减少开关损耗并提升电磁兼容性（EMC）性能。
这款MOSFET适用于多种电力电子设备，包括但不限于开关电源（如AC-DC转换器、DC-DC变换器）、逆变器、电池管理系统（BMS）、电机控制器以及LED驱动电路等。
在这些应用场景中，GA1210Y561MXLAR31G凭借其高效的能量转换能力和稳定的电气特性，可显著改善系统的整体性能和可靠性。
IRFZ44N
FDP5570
AOT292E
