IRFR1205NTRPBF 时间：2025/6/12 16:02:12 阅读：24

IRFR1205NTRPBF 是一款由 Vishay 推出的 N 沯道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 PQFN3333-16 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它专为高频开关应用而设计，广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动等领域。
　　该 MOSFET 的栅极电荷较小，有助于降低开关损耗，同时其优化的 RDS(on) 特性使其能够在高电流条件下保持高效的性能。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：38A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
　　栅极电荷：19nC
　　总栅极电荷：27nC
　　输入电容：2040pF
　　功耗：50W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

IRFR1205NTRPBF 提供了非常低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著减少传导损耗。
　　器件具备出色的开关性能，得益于其较低的栅极电荷，因此适用于高频操作环境。
　　PQFN3333-16 封装形式提供了良好的热性能，同时节省了 PCB 空间。
　　由于其宽广的工作温度范围，该 MOSFET 可以在极端环境下稳定运行，满足工业和汽车级应用的需求。
　　此外，其短路耐受能力进一步增强了系统的可靠性。