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IRFR024NTRPBF 发布时间 时间:2025/5/23 4:19:21 查看 阅读:12

IRFR024NTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的 N 沱增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高效能的开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率转换应用中。
  其封装形式为 TO-252 (DPAK),便于表面贴装,并具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):1.6mΩ
  栅极电荷(典型值):39nC
  开关速度:快
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRFR024NTRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,减少开关损耗。
  3. 高额定电流,能够支持大功率应用。
  4. 优化的热性能设计,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 小型化封装,适合空间受限的应用场景。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子设备的要求。

应用

该器件广泛应用于多种领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器,如降压或升压电路。
  3. 电机控制与驱动电路。
  4. 工业自动化及通信电源模块。
  5. 可再生能源系统中的功率调节功能。
  6. 各种消费类电子产品中的功率管理单元。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500, AO3400A

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IRFR024NTRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds370pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR024NPBFTR