时间：2025/6/20 21:59:51
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NSTB1004DXV5T1G 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用了先进的半导体制造工艺，适用于高频开关和功率转换应用。其小尺寸封装设计使其非常适合空间受限的应用场景，并且具有低导通电阻和高开关速度的特点。
型号：NSTB1004DXV5T1G
类型：N沟道MOSFET
封装：DFN8（3x3mm）
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±10V
最大连续漏极电流(Id)：4.2A
导通电阻(Rds(on))：7mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：1.2W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NSTB1004DXV5T1G具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频电路应用。
3. 小尺寸DFN8封装，便于在紧凑型设计中使用。
4. 具有出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
这款MOSFET主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电机驱动控制。
5. 可穿戴设备和其他便携式电子产品的功率管理模块。
6. 数据通信设备中的信号切换和保护电路。
NTBS1004N
NDS8430
Si2315DS
