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HM58C256AFP-10 发布时间 时间:2025/9/7 9:57:59 查看 阅读:5

HM58C256AFP-10 是一款由Hitachi(现为Renesas Electronics)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K位(32K x 8)。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗和高速存取的特性,适用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统和工业控制应用。

参数

容量:256K位(32K x 8)
  电压供应:5V
  访问时间:10ns
  封装类型:44引脚 TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行接口
  数据保持电压:最小2V
  输入/输出逻辑电平:TTL兼容

特性

HM58C256AFP-10 是一款高性能SRAM芯片,具有以下关键特性:
  1. 高速存取能力:该芯片的访问时间仅为10ns,能够满足高速数据处理和实时应用的需求,确保系统快速响应。
  2. 低功耗设计:采用CMOS工艺,具有较低的静态电流和动态功耗,适合对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。
  3. 数据保持功能:即使在较低电压(最低2V)下,芯片仍能保持存储数据,提升了系统在突发断电或低功耗模式下的数据安全性。
  4. 工业级温度范围:芯片可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作,适用于工业自动化、通信设备等严苛环境下的应用。
  5. TTL兼容输入输出:支持与TTL电平的直接接口,简化了与微处理器和外围设备的连接设计。
  6. 并行接口设计:提供标准的地址和数据总线接口,便于集成到基于并行总线的系统中,提升设计灵活性。

应用

HM58C256AFP-10 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括网络路由器和交换机的缓冲存储器、工业控制器的高速缓存、测试设备和测量仪器的数据暂存单元,以及需要低功耗和高速响应的便携式电子产品。此外,该芯片也适用于汽车电子系统中的数据存储需求,如车载导航和控制系统。

替代型号

CY62148EVLL-10ZSXI, IS62C256AL-10TLI, IDT71V416SA10PFGI

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