时间：2025/9/7 12:21:49
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F2117BG20V是一款高压MOSFET晶体管，通常用于电源管理和功率转换应用。它具有高耐压能力和较低的导通电阻，适合于需要高效能和高可靠性的电子设备中。
类型：MOSFET
最大漏极电流：17A
最大源极电流：17A
最大漏极-源极电压：200V
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
F2117BG20V的高耐压能力使其能够在高压环境下稳定工作，适用于各种电源转换器和电机控制电路。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和过载保护能力，能够在严苛的工作条件下提供可靠的性能。该MOSFET还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。其TO-220封装设计便于散热，适用于需要高功率密度的设计场景。
该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。它也常用于电池管理系统和高电压LED驱动电路中，以提供高效且稳定的功率输出。
FQA17N20C, FDPF17N20, STP17NK20Z, IRFPG50
