型号：IRFP460ZPBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：20A（连续）
　　导通电阻Rds(on)：典型值0.27Ω（最大0.33Ω）@ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗PD：230W（带散热器）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　输入电容（Ciss）：约1800pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约470pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间trr：约116ns

IRFP460ZPBF具备多项关键特性，使其在高电压功率应用中表现卓越。首先，其500V的高漏源击穿电压使其能够安全地用于通用离线电源系统，例如在220V AC或更高输入电压条件下工作的开关电源中，确保在瞬态浪涌或电压尖峰下仍能保持稳定运行。其次，该器件拥有较低的导通电阻Rds(on)，典型值为0.27Ω，在20A的连续漏极电流下可显著降低导通损耗，提高能效并减少发热，从而延长系统寿命。该MOSFET采用TO-247封装，具有优异的热传导性能，可通过外接散热器有效散发工作过程中产生的热量，支持长时间高负载运行。
　　另一个重要特性是其优化的开关性能。IRFP460ZPBF具有适中的栅极电荷（Qg），使得驱动电路设计更为简便且无需过大驱动电流即可实现快速开关动作，这在高频开关应用如LLC谐振变换器或全桥拓扑中尤为关键。同时，较低的输入和输出电容减少了开关过程中的能量损耗，提升了系统的整体效率。此外，该器件具备较强的雪崩耐量能力，经过严格测试验证，可在非钳位电感开关（UIS）条件下承受一定的重复性雪崩能量，增强了在异常工况下的可靠性。
　　IRFP460ZPBF还集成了一个快速恢复体二极管，其反向恢复时间（trr）约为116ns，远优于传统MOSFET中的寄生二极管。这一特性在半桥或全桥拓扑中尤其重要，因为在死区时间内体二极管会导通，若反向恢复特性不佳，则会产生较大的反向恢复电流和电磁干扰（EMI）。通过优化体二极管性能，IRFP460ZPBF有效抑制了此类问题，提高了系统电磁兼容性和稳定性。此外，该器件符合RoHS指令要求，采用无铅封装工艺，适用于绿色环保电子产品设计。综合来看，IRFP460ZPBF凭借其高电压能力、低导通损耗、良好热性能及高可靠性，成为工业电源、UPS、逆变器和感应加热等领域的理想选择。

IRFP460ZPBF广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能、高电压操作的开关电源设计中表现突出。常见应用包括离线式开关模式电源（SMPS），特别是在功率等级较高的AC-DC转换器中，如服务器电源、工业电源模块和医疗设备电源单元。由于其500V的额定电压，它适用于全球范围内的交流电网输入（如110V至240V AC），并在整流后的高压直流母线上作为主开关器件使用。此外，在DC-DC升压或降压转换器中，该MOSFET可用于高频硬开关或软开关拓扑，如正激、反激、推挽和全桥结构，提供高效的能量传输。
　　在逆变器系统中，IRFP460ZPBF常用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电机驱动器中，作为H桥或全桥电路中的开关元件，将直流电转换为交流电输出。其良好的开关特性和热稳定性使其能够在持续高负载条件下稳定运行。另外，在电子镇流器和高强度气体放电灯（HID）照明系统中，该器件用于产生高频交流信号以驱动灯具，提升发光效率并延长灯管寿命。
　　其他应用还包括感应加热设备、焊机电源、电信电源系统以及电动汽车充电基础设施中的辅助电源模块。由于其具备较强的雪崩耐受能力和快速恢复体二极管，即使在存在电感负载突变或短路瞬态的情况下也能保持较高可靠性，因此非常适合用于恶劣工作环境下的工业控制系统。总的来说，IRFP460ZPBF是一款多功能、高可靠性的功率MOSFET，适用于各种对效率、耐用性和安全性要求较高的电力电子应用场合。

IRFP460L, IRFP450, FQP460, STP20NM50, 2SK3562