PBSS5140U 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有超低导通电阻和极佳的开关性能,适用于高效率和高密度的电源转换应用。其封装形式为 SOT-23,能够有效节省 PCB 空间,同时具备出色的热性能。
该器件主要面向消费类电子产品、计算机外设以及通信设备等领域的低电压、大电流应用。通过优化的芯片设计,PBSS5140U 提供了更低的导通损耗和更高的工作效率。
型号:PBSS5140U
类型:N 沟道 MOSFET
Vds(漏源电压):40V
Rds(on)(导通电阻,典型值):8.5mΩ
Id(连续漏极电流):4.2A
Qg(栅极电荷):3nC
Vgs(th)(栅极阈值电压):1.5V 至 3V
fT(特征频率):190MHz
封装:SOT-23
PBSS5140U 的主要特点是其超低导通电阻 Rds(on),这使得在高频开关条件下能够显著降低传导损耗。
此外,该器件还具有以下优势:
- 小型化封装:SOT-23 封装使其适合空间受限的设计。
- 快速开关能力:由于较低的栅极电荷 Qg 和较高的特征频率 fT,器件能够在高频应用中保持高效运行。
- 高可靠性:通过严格的质量控制流程制造,确保长期稳定性和一致性。
- 宽工作范围:支持低至 1.5V 的栅极驱动电压,便于与低压系统集成。
这些特点使 PBSS5140U 成为需要高性能和小尺寸解决方案的理想选择。
PBSS5140U 广泛应用于各种电力电子领域,主要包括:
- DC/DC 转换器:作为同步整流器或主开关元件,用于提高转换效率。
- 开关模式电源(SMPS):适用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他小型电源模块。
- 电池管理:用于保护电路和负载切换。
- 电机驱动:控制小型直流电机的速度和方向。
- 信号检测和负载切换:在便携式设备中实现精确的电流控制。
其低导通电阻和快速开关特性,非常适合对效率和体积要求严格的现代电子设备。
AO3400
IRLML6401
FDMQ8207