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IRFP4227PBF 发布时间 时间:2025/5/9 18:31:19 查看 阅读:26

IRFP4227PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能 N 沣道晶体管,属于 MOSFET 系列。该器件采用 TO-252 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适合于高频开关应用及功率转换电路。它广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及通信系统等领域。
  这款 MOSFET 的设计使得其在效率、热性能和耐用性方面表现出色,同时支持表面贴装技术(SMT),方便自动化生产和紧凑型设计。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:9nC
  总电容:135pF
  功耗:160W
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃

特性

IRFP4227PBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),使其在高电流应用中具备出色的效率。
  2. 高速开关能力,栅极电荷较低,从而减少开关损耗。
  3. 支持表面贴装封装,有助于实现小型化和高效散热。
  4. 较宽的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃),适应多种恶劣环境。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 高耐压能力 (40V),适用于低压大电流场景。
  这些特性使 IRFP4227PBF 成为众多功率电子设备的理想选择。

应用

IRFP4227PBF 可用于以下应用场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业控制领域中的负载切换和保护电路。
  4. 电信设备中的 DC-DC 转换器。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节模块。
  6. 数据中心服务器和计算机电源单元 (PSU)。
  由于其优异的电气性能和可靠性,该器件非常适合需要高效能量转换和稳定运行的场合。

替代型号

IRFZ44N, IRFP140N

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IRFP4227PBF参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C65A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 46A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs98nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4600pF @ 25V
  • 功率 - 最大330W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AC
  • 包装管件