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GJM1555C1H360GB01D 发布时间 时间:2025/6/23 14:26:01 查看 阅读:6

GJM1555C1H360GB01D 是一款高性能的 NAND 闪存芯片,主要用于大容量数据存储。该芯片采用了先进的制程工艺,提供高可靠性和快速的数据读写能力。适用于各种需要高效存储解决方案的设备,如固态硬盘(SSD)、U盘、嵌入式系统等。

参数

容量:360GB
  接口类型:PCIe NVMe
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  数据传输速率:高达 3500 MB/s(读取)
  擦写寿命:3000 次 P/E 循环
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GJM1555C1H360GB01D 提供了卓越的性能和可靠性,主要特性包括:
  1. 高密度存储:通过采用先进的堆叠技术,实现了高达 360GB 的存储容量。
  2. 快速数据传输:支持 PCIe NVMe 接口,能够实现高速的数据读写操作,读取速度高达 3500 MB/s。
  3. 低功耗设计:优化的电路结构和电源管理功能,使其在运行时具有较低的功耗。
  4. 高耐用性:具备 3000 次的擦写周期,确保长期使用的可靠性。
  5. 广泛的工作温度范围:支持从 -40°C 到 +85°C 的工业级温度范围,适应多种应用场景。

应用

GJM1555C1H360GB01D 芯片广泛应用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD):为消费级和企业级 SSD 提供核心存储组件。
  2. 嵌入式设备:如工业控制设备、医疗仪器、车载系统等,提供高效的存储解决方案。
  3. 移动存储设备:如 U 盘、存储卡等,满足用户对大容量和高速度的需求。
  4. 数据中心和服务器:作为高性能存储介质,用于数据密集型应用。

替代型号

GJM1555C1H240555C1H480GB01D

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GJM1555C1H360GB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.21358卷带(TR)
  • 系列GJM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容36 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-