时间：2025/7/18 18:00:34
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HRT10L200SCS是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件适用于开关电源、直流电机驱动、负载开关等应用领域，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。其出色的性能使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
这款MOSFET通过优化的设计结构实现了较低的导通损耗和开关损耗，从而提高了系统的整体效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.22Ω
栅极电荷：38nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
HRT10L200SCS具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升效率。
2. 高击穿电压，能够适应更广泛的工作环境。
3. 快速开关速度，适合高频开关应用。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间。
5. 优秀的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 直流电机驱动电路。
3. 负载开关及保护电路。
4. LED驱动器。
5. 各种消费类电子产品，如家电、计算机外设等。
6. 工业控制设备中的功率转换模块。
IRFZ44N, FDP17N10, STP10NK06Z
