型号：2SA1740G-D-AB3-R
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大漏极电流（Id）：-4.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs = -10V；60mΩ @ Vgs = -4.5V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Cres）：50pF @ Vds=15V
　　开启时间（Ton）：约20ns
　　关断时间（Toff）：约40ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-457（SOT-89）
　　功率耗散（Pd）：1.5W @ TC=25°C

2SA1740G-D-AB3-R具备优异的电气性能和热稳定性，其核心特性之一是低导通电阻（Rds(on)），在Vgs = -10V时仅为45mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。对于电池供电设备而言，这意味着更长的续航时间和更低的发热水平。该器件采用ROHM专有的沟槽结构技术，优化了载流子迁移路径，从而实现了在小尺寸封装下仍具备较高的电流承载能力。其最大连续漏极电流可达-4.6A，足以满足大多数中等功率负载开关的需求。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss约为500pF），该MOSFET能够在高频条件下高效运行，适用于高达数百kHz的开关电源拓扑结构，例如同步降压变换器或反相电源架构。同时，反向传输电容（Cres）仅为50pF，有助于减少米勒效应引起的误触发风险，提升开关过程的稳定性和抗干扰能力。
　　热性能方面，SOT-89封装提供了良好的散热通道，结到外壳的热阻（Rth(j-c)）较低，结合1.5W的功率耗散能力，在合理布局PCB并配备适当铜箔面积的情况下，能够有效将热量传导至外部环境，避免局部过热导致器件失效。此外，该器件的工作结温范围达到+150°C，支持在高温环境下长时间可靠运行，增强了其在严苛工况下的适应性。
　　安全性方面，2SA1740G-D-AB3-R内置一定程度的ESD保护机制，可承受人体模型（HBM）下2kV以上的静电放电冲击，降低了在装配和维修过程中因静电损坏的风险。其栅极氧化层设计坚固，耐压能力强，防止因瞬态过压造成永久性损伤。综合来看，这款P沟道MOSFET以其高性能、高可靠性与紧凑封装，成为现代便携式电子设备中理想的功率开关元件。

2SA1740G-D-AB3-R广泛应用于多种需要高效、小型化功率控制的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的电池充放电控制电路，用于实现对不同功能模块的上电顺序管理和节能待机切换。由于其P沟道特性，常被用作高端开关（high-side switch），在负载开关（Load Switch）电路中直接控制电源通断，避免使用复杂的电荷泵驱动电路，从而降低整体方案成本与复杂度。
　　在DC-DC转换器领域，该器件可用于同步整流型Buck变换器的上管或反激式（Flyback）电源的主开关元件，尤其适用于输入电压在3.3V至24V之间的中低功率场合。其快速开关能力和低导通损耗有助于提升转换效率，减少能量浪费。
　　此外，它也常见于各类嵌入式控制系统中，如智能家居设备、IoT终端节点、工业传感器供电单元等，作为微控制器驱动外部负载（如LED指示灯、继电器、电机驱动模块）的接口开关。凭借SOT-89的小型化封装，非常适合空间受限的高密度PCB布局，支持自动化贴片生产，提高制造效率。
　　在汽车电子辅助系统中，如车载信息娱乐系统或车身控制模块中，该器件也能胜任低压电源分配与切断任务，保障系统在休眠模式下的零功耗或极低静态电流运行。总之，2SA1740G-D-AB3-R凭借其出色的综合性能，已成为众多中低端功率应用中的优选MOSFET解决方案。

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　　 "2SA1740G-TR",
　　 "2SA1740G-E"
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