时间：2025/7/23 19:36:53
阅读：8
FDB28N30TM 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，具有较低的导通电阻和优异的热性能。它广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备等领域。FDB28N30TM 采用先进的平面技术制造，具有良好的可靠性和耐用性，适用于中高功率应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
最大连续漏极电流（ID）：180 A（在 25°C 下）
导通电阻（RDS(on)）：最大 2.8 mΩ（在 VGS = 10 V 时）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
功率耗散（PD）：250 W
输入电容（Ciss）：约 3600 pF（典型值）
FDB28N30TM 具有多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其超低导通电阻 RDS(on) 可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该 MOSFET 的高电流承载能力（最高可达 180A）使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具有优异的热管理能力，得益于其 D2PAK 封装设计，可以有效散发热量，确保在高负载条件下稳定运行。
其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高整体系统性能。另外，FDB28N30TM 的栅极驱动电压范围较宽（典型工作电压为 4.5V 至 20V），适用于多种驱动电路设计。该器件还具备较高的耐用性和抗静电能力，适合在复杂电磁环境中使用。
FDB28N30TM 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：高性能 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、服务器和电信设备电源、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及电动汽车充电模块等。由于其高效率和高电流能力，该 MOSFET 特别适合用于需要高能效和紧凑设计的现代电源系统。
FDB28N30TM 的替代型号包括 FDB30N30TM、FDB29N30TM 和 SiR872DP。这些型号在电气特性和封装上具有相似性，适用于类似的高功率应用。但在替代使用前，建议详细核对电气参数和封装尺寸以确保兼容性。
