类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大连续漏极电流（ID）：35A
　　导通电阻（RDS(on)）：8mΩ
　　最大功率耗散：150W
　　封装形式：四方扁平无引脚封装（QFN）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　栅极阈值电压：2.5V

EFMB206 采用先进的氮化镓半导体技术，具有极低的导通电阻和极快的开关速度，使其在高频应用中表现出色。其主要特性包括：
　　1. 高频操作能力：由于 GaN 材料的特性，EFMB206 可以在比传统硅器件更高的频率下运行，从而减小了外围元件的尺寸并提高了系统效率。
　　2. 低导通电阻：8mΩ 的 RDS(on) 降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。
　　3. 高耐压能力：200V 的 VDS 使其适用于多种中高功率应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和无线充电系统。
　　4. 无反向恢复损耗：GaN FET 没有体二极管，因此在开关过程中不会产生反向恢复损耗，从而进一步提高了效率。
　　5. 热性能优越：QFN 封装提供了良好的热管理性能，确保器件在高负载条件下也能保持稳定运行。
　　6. 驱动兼容性强：EFMB206 的栅极驱动电压为 5V，与常见的 MOSFET 驱动器兼容，简化了设计过程。

EFMB206 广泛应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统，包括：
　　1. 高频 DC-DC 转换器：用于服务器电源、电信电源和车载充电系统。
　　2. 电机驱动器：适用于无人机、机器人和工业自动化中的高效电机控制。
　　3. 无线充电系统：支持高效率的能量传输，适用于消费类电子产品和电动汽车。
　　4. 功率因数校正（PFC）电路：提升电源系统的功率因数，减少电网污染。
　　5. 激光雷达（LiDAR）系统：用于自动驾驶和机器人领域的高精度测距设备中的高速开关应用。
　　6. 高频逆变器：用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。

EPC2052, EPC2045, GS66516T