PM365J 时间：2025/8/7 3:44:48 阅读：32

PM365J是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和优异的热稳定性。PM365J是一款N沟道增强型MOSFET，适用于各种工业、汽车和消费类电子设备中的电源系统设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为7.5mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电压范围：-20V至+20V
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-247
　　技术：增强型MOSFET

特性

PM365J具有多项卓越的电气和热性能特性。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大漏极电流高达100A，适用于高功率应用场景。此外，PM365J采用了TO-247封装，具备良好的散热能力，确保在高负载条件下的稳定运行。其宽栅极电压范围允许灵活的驱动设计，同时具备较强的抗干扰能力。该MOSFET还具有快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。PM365J还具备良好的温度稳定性，能够在极端温度条件下保持性能不变，适用于严苛的工作环境。