时间：2025/9/1 15:02:18
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IS42VM32160E-75BLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步DRAM类别，适用于需要高密度存储和中等速度性能的电子系统。IS42VM32160E-75BLI-TR的存储容量为32Mbit，组织结构为16位×32Mbit，其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适用于工业温度范围（-40°C至+85°C），因此非常适合在严苛环境下工作的设备中使用。
容量：32Mbit
组织结构：16位 × 32Mbit
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
电源电压：3.3V
访问时间：7.5ns
封装引脚数：54-pin
接口类型：异步
工作频率：最大可达166MHz
IS42VM32160E-75BLI-TR是一款性能稳定的DRAM芯片，适用于需要较高数据吞吐量和存储容量的应用场景。该芯片支持高速访问时间（7.5ns），能够满足对响应速度有一定要求的系统设计需求。其电源电压为3.3V，相对于传统的5V供电DRAM，具有更低的功耗和更好的能效表现。
该芯片的异步接口设计使其在与不同类型的控制器配合使用时具有较高的兼容性。同时，TSOP封装不仅节省空间，而且有助于提高高频工作下的信号完整性。IS42VM32160E-75BLI-TR的工业温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在较为恶劣的环境条件下稳定运行，从而适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用场景。
此外，该DRAM芯片具备自动刷新和自刷新功能，能够有效减少外部控制器的负担，提高系统的稳定性。其高集成度和成熟的制造工艺确保了长期使用的可靠性，并降低了系统设计的复杂度。
IS42VM32160E-75BLI-TR广泛应用于对存储容量和性能有一定要求的工业控制系统、通信设备、网络设备、嵌入式系统以及视频处理设备等。例如，在工业计算机、数据采集系统、网络路由器和交换机等设备中，该芯片可作为高速缓存或主存储器使用。此外，由于其良好的温度适应性和稳定性，IS42VM32160E-75BLI-TR也可用于汽车电子系统、医疗设备以及安防监控设备中的数据存储和处理模块。
IS42VM32160C-75BLI-TR, IS42VM32160E-64BLI-TR, CY7C1041CV33-7ZSXI, IS42VM16320CE75BLI
