IRFP264N是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高功率和高效率的场合。该器件采用先进的平面技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。IRFP264N的封装形式为TO-247,便于散热,适用于多种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):250V
最大漏极电流(ID):110A
导通电阻(RDS(on)):0.044Ω(最大)
最大功耗(PD):300W
工作温度范围:-55°C至+175°C
栅极电压范围:±20V
封装形式:TO-247
IRFP264N的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。其低导通电阻(RDS(on))使得在导通状态下的功率损耗最小化,从而提高了系统的整体效率。该器件能够承受高达110A的漏极电流,适用于需要高电流输出的应用。此外,IRFP264N的TO-247封装提供了良好的散热性能,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定。
IRFP264N还具有快速开关能力,能够在高频应用中表现出色,减少开关损耗并提高响应速度。其高耐压特性(250V VDS)使其适用于多种电压等级的电路设计。该器件的工作温度范围较宽(-55°C至+175°C),能够在极端环境下可靠工作,适用于工业控制、电源管理和电动工具等要求较高的应用场景。
为了保护器件免受过压和过流的影响,IRFP264N还内置了多种保护机制,如过热保护和短路保护。这些特性进一步增强了器件的可靠性和使用寿命。
IRFP264N广泛应用于需要高功率和高效能的场合,如电源管理、直流电机控制、电动工具、逆变器和电源适配器等。在电源管理系统中,IRFP264N可以作为主开关器件,用于高效能的直流-直流转换器和交流-直流转换器。在电动工具和电机控制应用中,该器件的高电流承载能力和快速开关特性使其成为理想选择。此外,IRFP264N还可用于工业自动化设备中的功率控制模块,提供稳定可靠的电源解决方案。
IRFP264N的替代型号包括IRFP260N和IRFP250N,这些型号在性能和应用上具有一定的相似性,但具体参数可能有所不同。