型号：IRFP242
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：900 V
　　最大漏极电流（Id）：6.5 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：26 A
　　最大功耗（Ptot）：200 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 1.1 Ω（在Vgs = 10 V时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.0 V 至 6.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 1300 pF
　　输出电容（Coss）：约 270 pF
　　反向恢复时间（trr）：约 220 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IRFP242的核心优势之一在于其高达900V的最大漏源击穿电压，使其非常适合用于高电压电源系统中，如离线式开关电源、高压DC-DC变换器以及工业控制设备中的功率开关模块。这一高耐压能力允许设计者在不使用额外电压钳位或复杂保护网络的情况下实现更紧凑的拓扑结构。此外，该器件具备较高的热稳定性和长期可靠性，能够在恶劣的工作环境中持续运行。
　　另一个显著特点是其具备重复雪崩能力，意味着在发生瞬态过压事件（如电感负载突然断开）时，器件可以在限定条件下承受一定量的能量冲击而不损坏。这种特性极大地提升了系统在异常工况下的安全裕度，减少了对外部保护元件的依赖，从而降低了整体成本和设计复杂度。Infineon在其数据手册中提供了详细的雪崩能量测试方法和额定值，便于工程师进行失效边界分析。
　　IRFP242采用了优化的硅工艺和封装设计，确保了较低的栅极电荷（Qg）和输入电容，有助于减少驱动损耗并提升开关效率，尤其是在高频开关应用中表现优异。同时，其相对较低的导通电阻（Rds(on)）虽然与现代超结MOSFET相比略高，但在同类高压器件中仍处于合理水平，能够在导通损耗与开关速度之间取得良好平衡。
　　该器件还内置了一个快速恢复体二极管，具有较短的反向恢复时间（trr），可有效降低换流过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。这对于桥式拓扑结构（如半桥或全桥逆变器）尤为重要，能显著改善系统效率和动态响应。TO-247封装不仅提供了良好的电气隔离，还具备出色的散热能力，可通过外接散热片将热量迅速传导出去，保障长时间满载运行下的热稳定性。

IRFP242广泛应用于多种高电压、高功率电子系统中，尤其适用于需要高效能开关操作的场合。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于有源功率因数校正（PFC）级和主功率开关位置，特别是在离线式AC-DC转换器中，能够承受来自电网的高压输入，并实现高效的能量转换。此外，在DC-DC升压或降压变换器中，IRFP242凭借其高耐压和较强电流承载能力，适用于中等功率级别的工业电源模块。
　　在电机驱动领域，该器件可用于中小功率交流或直流电机的控制电路中，作为H桥或半桥结构中的开关元件，实现精确的速度和方向控制。由于其具备一定的雪崩耐受能力，即使在电机急停或反转时产生的反电动势冲击下也能保持稳定工作，提高了驱动系统的可靠性。
　　在逆变器应用中，IRFP242常见于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和焊接电源等设备中，用于将直流电转换为交流电。其快速开关特性和内置快速恢复二极管有助于减少换向损耗和电压振荡，从而提升输出波形质量并降低电磁干扰。
　　此外，该MOSFET还可用于感应加热系统、荧光灯镇流器、高压脉冲发生器以及电信电源等专业领域。由于其坚固的设计和成熟的制造工艺，IRFP242在工业自动化、能源管理和消费电子产品中均有广泛应用。尽管近年来出现了更高效率的超结MOSFET和SiC器件，但IRFP242因其成熟的技术、稳定的供货和适中的成本，仍在许多传统设计中占据重要地位。

IRFP250, IRFP251, IRFP252, FQP9N90, STP9NK90Z