PMV48XPA2R 时间：2025/9/14 16:55:25 阅读：31

PMV48XPA2R是一款由Nexperia（安世半导体）生产的P沟道增强型MOSFET，适用于各种高效率电源管理应用。该器件采用先进的Trench工艺技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适合用于负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率开关。PMV48XPA2R采用SOT223封装，具备良好的散热能力，能够在较高的工作温度下稳定运行。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.8A（@VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大55mΩ（@VGS = -4.5V）
　　最大功耗：1.5W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT223

特性

PMV48XPA2R是一款高性能的P沟道MOSFET，具有低导通电阻和优良的开关性能。其低RDS(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在-4.5V的栅极驱动电压下即可实现优异的导通性能，适用于5V或更低电压供电的系统。SOT223封装提供了良好的散热性能，使器件能够在较高负载条件下稳定工作。
　　此外，PMV48XPA2R具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了其在高频开关应用中的可靠性。其P沟道结构使其在高边开关应用中具有优势，例如在同步整流、电源管理模块和负载开关中。该MOSFET还具有较高的抗静电能力（ESD），提高了其在复杂电磁环境下的稳定性。
　　该器件的设计优化了开关损耗，使其适用于高频DC-DC转换器、同步整流器以及便携式设备的电源管理电路。其低栅极电荷（Qg）有助于减少驱动损耗，提高整体能效。同时，PMV48XPA2R的高热稳定性确保其在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合工业级应用需求。

应用

PMV48XPA2R广泛应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、负载开关、电池充电电路、电源管理模块以及同步整流器。由于其优异的导通性能和散热能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及工业控制系统。此外，该MOSFET也可用于电源适配器、LED驱动电路以及电机控制电路中，提供高效的功率切换功能。