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IRFL9014TRPBF 发布时间 时间:2025/5/23 21:13:18 查看 阅读:8

IRFL9014TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-252 (DPAK)封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景中。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效功率转换的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:8.3A
  导通电阻:15mΩ
  栅极电荷:17nC
  总功耗:1.7W
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

IRFL9014TRPBF具有低导通电阻(Rds(on)),从而减少了传导损耗并提高了系统效率。此外,它还具备较低的栅极电荷(Qg),有助于实现更快的开关速度并降低开关损耗。
  该器件采用了先进的制造工艺,在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。其TO-252封装体积小且易于安装,适合空间受限的应用场合。
  此外,由于其高雪崩击穿能力和鲁棒性设计,IRFL9014TRPBF能够在恶劣条件下可靠运行,并且能够承受短暂的过载情况。

应用

该MOSFET适用于多种电力电子领域,包括但不限于直流-直流转换器、电池管理系统、家用电器中的功率控制模块以及工业自动化设备中的信号切换电路。
  在消费电子产品领域,它可以用于笔记本电脑适配器或LED照明驱动器以提供高效的电能管理解决方案;而在汽车电子方面,则可能被用作引擎控制单元内的开关元件或者电动车窗升降系统的动力传输组件。

替代型号

IRLML6402TRPBF, SI4456DY

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IRFL9014TRPBF参数

  • 数据列表IRFL9014
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 1.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds270pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFL9014PBFTR