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FQP70N10 发布时间 时间:2025/5/12 13:09:09 查看 阅读:5

FQP70N10是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高效功率开关的应用中。FQP70N10以其低导通电阻和高电流能力著称,能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
  该MOSFET采用了TO-220封装形式,具有良好的散热性能,适合于大功率应用环境。其主要特点是高效率和可靠性,同时具备快速开关速度和较低的功耗。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:70A
  栅极阈值电压:2.5V~4.5V
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):3mΩ
  总功耗:168W
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装形式:TO-220

特性

FQP70N10的主要特性包括以下几点:
  1. 高电流承载能力:连续漏极电流高达70A,使其适用于大功率应用。
  2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为3mΩ,降低了导通损耗,提高了系统效率。
  3. 快速开关性能:具备较短的开启和关闭时间,有助于减少开关损耗。
  4. 稳定的工作温度范围:能够在-55℃至150℃的温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境。
  5. 良好的热性能:采用TO-220封装,具备较大的散热面积,便于热量散发。
  6. 高耐压能力:最大漏源电压为100V,确保在高压环境下的可靠运行。

应用

FQP70N10适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 在AC-DC或DC-DC转换器中用作主开关管。
  2. 电机驱动:
   - 用于控制直流电机或无刷直流电机的运行状态。
  3. 电池管理系统:
   - 实现电池充放电的精确控制。
  4. 逆变器:
   - 提供高效的功率转换功能。
  5. 工业自动化设备:
   - 如可编程逻辑控制器(PLC)中的功率输出模块。
  6. 消费类电子产品:
   - 包括电视、音响等设备中的功率管理电路。

替代型号

IRFZ44N, STP70NF10L

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FQP70N10参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C57A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 28.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3300pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件