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MS74-470MT 发布时间 时间:2025/12/28 0:28:53 查看 阅读:16

MS74-470MT是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SMA(DO-214AC)封装。该器件专为高频、高效率的开关应用而设计,广泛应用于电源整流、反向电压保护、续流和箝位电路中。MS74-470MT具有低正向压降和快速恢复特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。其额定平均正向整流电流为1A,最大重复峰值反向电压为47V,适用于低压直流电源转换系统。该二极管符合RoHS指令,且具备无卤素(Halogen-free)和符合IEC 61249-2-21标准的绿色材料构成,适合现代环保型电子产品制造。此外,SMA封装形式使其易于实现自动化贴片生产,适用于紧凑型PCB布局设计。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  极性:单路(Single)
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):1A
  最大重复峰值反向电压(VRRM):47V
  最大直流阻断电压(VR):47V
  最大正向压降(VF @ IF=1A):850mV @ 1A
  最大反向漏电流(IR @ VR=47V, 25°C):400μA
  最大反向恢复时间(trr):典型值5ns
  工作结温范围(TJ):-65°C ~ +125°C
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C
  焊接温度(@ 距离本体5mm,10秒):300°C

特性

MS74-470MT的核心特性之一是其低正向导通压降,在1A电流下最大仅为850mV,显著降低了整流过程中的功率损耗,提升了整体电源系统的能效表现。这一特性在便携式设备、电池供电系统以及DC-DC转换器中尤为重要,有助于延长电池寿命并减少散热需求。其采用的肖特基势垒技术基于铂-硅界面形成势垒,相较于传统PN结二极管,具备更快的开关速度和更低的开启电压。
  另一个关键特性是其优异的高频响应能力。由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此反向恢复时间极短,典型值仅为5ns。这使得MS74-470MT能够在高频开关电源(如开关模式电源SMPS、同步整流电路)中有效抑制反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰(EMI),从而提升系统稳定性和可靠性。此外,快速的动态响应也有助于改善瞬态负载调整性能。
  该器件具备良好的热稳定性与可靠性。SMA封装采用模塑环氧树脂材料,具有优良的耐湿性和机械强度,能够在-65°C至+125°C的宽结温范围内稳定工作,适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境。其最大反向漏电流在47V偏置下不超过400μA(25°C),虽然随温度升高会有所增加,但在正常工作条件下仍保持在可接受范围内。同时,器件通过了严格的可靠性测试,包括高温反向偏压(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环等试验,确保长期使用的稳定性。
  MS74-470MT还具备出色的抗浪涌能力,能够承受一定的瞬时过电流冲击,增强了在电源输入端或电机驱动电路中的鲁棒性。其引脚设计符合行业标准SMA封装尺寸,便于与其他厂商的同类产品进行替换,并支持波峰焊和回流焊等多种表面贴装工艺,适应现代化大规模生产需求。

应用

MS74-470MT广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,尤其是在低电压输出(如5V、3.3V、1.8V)的AC-DC和DC-DC转换器中,利用其低正向压降优势提高转换效率。它也常用于反向极性保护电路,防止因电池或电源接反而损坏后续电路,广泛见于USB供电设备、充电器模块和嵌入式控制系统中。
  在逆变器和驱动电路中,MS74-470MT可用作续流二极管(Flyback Diode),为电感性负载(如继电器、电机、螺线管)提供电流释放路径,避免关断时产生的高压反电动势损坏开关元件(如MOSFET或IGBT)。由于其快速恢复特性,能有效减少能量损耗和电压振荡,提升系统响应速度与安全性。
  此外,该器件适用于电压箝位和静电放电(ESD)保护电路,限制瞬态电压峰值,保护敏感集成电路。在光伏(PV)系统中,也可作为防反二极管使用,防止电池板在阴影或故障状态下成为负载。其他应用还包括适配器、LED驱动电源、便携式医疗设备、工业控制模块以及汽车电子中的辅助电源系统等,尤其适合空间受限但对效率要求较高的场合。

替代型号

MBR140-47CT3G
  RB160M-40

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