IRFK6H250 时间：2025/12/26 19:02:51 阅读：22

IRFK6H250是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高压功率MOSFET晶体管，属于CoolMOS?系列中的一员。该器件专为高效率、高电压开关应用而设计，广泛应用于电源转换系统如AC-DC电源、DC-DC转换器、光伏逆变器以及工业用开关电源等场合。其主要优势在于具备出色的导通电阻与栅极电荷的乘积（Rds(on) × Qg），这使得它在高频开关操作下仍能保持较低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统的能效表现。
　　该MOSFET采用先进的超结（Superjunction）技术制造，能够在600V的漏源击穿电压下实现极低的导通电阻。IRFK6H250封装于TO-247形式，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于需要高效散热的大功率应用场景。此外，该器件还具备优良的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，提高了在恶劣工作环境下的可靠性。由于其优异的电气特性，IRFK6H250常被用于追求小型化、高密度电源设计的现代电力电子设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：8.5 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：34 A
　　导通电阻Rds(on) @10V Vgs：0.68 Ω
　　导通电阻Rds(on) @max：0.85 Ω
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF
　　输出电容（Coss）：190 pF
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装类型：TO-247

特性

IRFK6H250的核心特性之一是采用了Infineon领先的CoolMOS?技术，这是一种基于超结结构的高压MOSFET设计理念，突破了传统硅基器件在导通电阻与耐压之间的折衷限制。通过在P型和N型柱状掺杂区域之间精确平衡电荷，CoolMOS?技术显著降低了单位面积下的比导通电阻（Rds(on)·A），从而在相同芯片尺寸下实现了更低的导通损耗或在相同Rds(on)条件下减小了芯片面积。这种结构优化不仅提升了器件的能效，还减少了所需的散热空间，有利于实现更高功率密度的设计。
　　该器件在动态性能方面也表现出色。其输入电容和输出电容较小，结合快速的开关速度，使得在高频PWM控制下能够有效降低驱动损耗和开关损耗。这对于现代开关电源尤其是LLC谐振变换器、有源钳位反激式转换器等拓扑至关重要。同时，IRFK6H250具备较低的栅极电荷（Qg），意味着驱动电路所需提供的能量更少，进一步降低了控制器的负担并提高了系统效率。
　　在可靠性方面，IRFK6H250经过严格测试，具备优异的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏。其坚固的栅极氧化层设计也增强了对静电放电（ESD）和电压尖峰的耐受性。此外，TO-247封装提供了较大的焊接触点面积和优良的热导路径，确保在持续高负载运行时热量可以迅速传导至散热器，维持结温在安全范围内。综合来看，这些特性使IRFK6H250成为高性能电源系统中理想的主开关器件选择。

应用

IRFK6H250广泛应用于各类中高功率电力电子系统中，尤其是在对能效、体积和热管理有较高要求的应用场景。典型用途包括工业级开关模式电源（SMPS），其中作为主开关管用于反激、正激或LLC谐波振荡拓扑结构，提供高效的AC-DC转换功能。在服务器电源、电信整流模块及工业自动化设备电源中，该器件因其高可靠性和低损耗特性而受到青睐。
　　在可再生能源领域，IRFK6H250也被用于光伏微型逆变器和组串式逆变器的直流侧开关单元，协助将太阳能板产生的直流电高效转换为交流电并入电网。其高耐压能力和快速响应特性使其能够适应光照变化带来的电压波动，并在最大功率点追踪（MPPT）算法中稳定运行。
　　此外，该器件还可用于电动车辆充电基础设施中的车载充电机（OBC）和直流快充模块的辅助电源部分，支持宽输入电压范围下的稳定工作。在LED照明驱动电源中，特别是大功率户外照明系统，IRFK6H250可用于构建高效恒流源电路，保证长时间运行下的光输出稳定性。其他应用还包括UPS不间断电源、电机驱动器的辅助电源轨以及高端消费类电器中的高密度电源模块。