SPP3413W是一款基于硅基材料制造的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率、高频开关电源转换场景。该芯片采用先进的工艺技术,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提高系统效率。
这款器件适用于各种消费电子、工业控制以及通信设备中的电源管理模块,支持宽范围的工作电压,并提供出色的热性能和可靠性表现。
型号:SPP3413W
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):37nC
输入电容(Ciss):2000pF
反向恢复时间(trr):90ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
SPP3413W具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速开关能力,适应高频应用需求,降低开关损耗。
3. 高度优化的封装设计,确保良好的散热性能。
4. 提供强大的短路耐受能力,增强系统的稳定性和安全性。
5. 符合RoHS标准,环保且兼容多种现代制造工艺。
6. 支持高精度电流控制,适用于复杂负载环境下的动态调节。
SPP3413W广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)及适配器设计。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的电源模块。
4. 通信基站的DC/DC转换器。
5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关产品。
6. 各类电池充电解决方案中的同步整流部分。
SPP3413E, SPP3413H, IRFZ44N