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P4SMA24CAHM2G 发布时间 时间:2025/12/28 20:43:42 查看 阅读:40

P4SMA24CAHM2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SMT)双向瞬态电压抑制二极管(TVS)。该器件主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌电压、感应负载开关和雷击等瞬态电压事件的损害。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,适合广泛应用于工业控制、消费类电子、通信设备、汽车电子等多种保护场合。

参数

工作电压:24V
  最大反向关断电压(VRWM):24V
  击穿电压(VBR):26.7V - 32.5V
  最大箝位电压(VC):37.5V(在IPP=1.33A条件下)
  最大脉冲电流(IPP):1.33A
  最大功率耗散:400W(瞬态条件下)
  响应时间:低至1ps(典型值)
  封装形式:SMA/DO-214AC
  极性:双向
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

P4SMA24CAHM2G 采用硅雪崩击穿技术,具备快速响应时间和优异的瞬态电压抑制能力。其双向结构设计适用于正负双向瞬态电压的保护,非常适合用于交流或双极性信号线路的保护。器件的响应时间极短,通常在皮秒级,能够在电压瞬变发生的瞬间迅速导通,将多余的电压能量导入地端,从而保护后级电路不受损坏。此外,该TVS具有较高的能量吸收能力(最大可达400W),可以在高能量脉冲事件中保持稳定。其SMA封装尺寸小巧,适合表面贴装工艺,便于自动化生产并节省PCB空间。
  该器件的反向截止电压为24V,确保在正常工作电压范围内不会发生误导通。击穿电压范围为26.7V至32.5V,确保在异常电压升高时能够及时动作。箝位电压在额定电流下为37.5V,有效限制电压到安全水平,避免后级IC或其他元件受到损坏。P4SMA24CAHM2G 符合IEC 61000-4-2 Level 4 ESD保护要求,适用于各种高可靠性应用场景。此外,其工作温度范围宽,适用于从消费类电子产品到工业环境的广泛温度条件。

应用

P4SMA24CAHM2G 常用于各类电子设备中的瞬态电压保护。典型应用包括电源线、数据线、信号线的ESD保护,适用于通信设备、工业控制系统、安防设备、家电产品、便携式电子设备、汽车电子模块等。由于其双向特性,特别适合用于交流信号线路、RS-485、CAN总线、USB接口、HDMI接口等双极性电路的保护。此外,该器件也可用于保护微控制器、逻辑IC、ADC/DAC、传感器等易受电压冲击损坏的元件。

替代型号

P6KE24CA, SMAJ24CA, 1.5SMC24CA, SMDJ24CA

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