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IRFIZ34NPBF 发布时间 时间:2025/6/29 12:41:08 查看 阅读:2

IRFIZ34NPBF 是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装(也称为D2PAK)。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC/DC转换器和负载切换等应用中。其设计注重高效能与低导通电阻,能够提供卓越的性能表现,同时具备出色的热特性和电气特性。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:38A
  脉冲漏极电流:114A
  导通电阻(典型值):7.5mΩ
  栅极电荷:74nC
  输入电容:1520pF
  输出电容:2220pF
  反向传输电容:280pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRFIZ34NPBF具有较低的导通电阻,可显著减少导通损耗,提高系统效率。
  该器件支持高电流能力,并且具备快速开关速度,适合高频应用。
  采用了先进的制造工艺,确保了器件的可靠性和耐用性。
  其封装形式具备良好的散热性能,有助于在高功率密度应用场景下保持稳定运行。
  此外,它还具备较高的雪崩击穿能力和抗静电能力,增强了系统的鲁棒性。

应用

开关电源(SMPS)
  电机控制与驱动
  DC/DC转换器
  负载切换与保护
  电池管理系统(BMS)
  逆变器与不间断电源(UPS)
  工业自动化设备中的功率控制模块

替代型号

IRFZ34N
  IXFK38N10P2
  STP38NF10
  FDP18N10E

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IRFIZ34NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
  • 功率 - 最大37W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220AB 整包
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFIZ34NPBF