时间：2025/12/29 14:43:59
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IRFI840B 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，适用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：8.0A
工作温度范围：-55°C 至 150°C
导通电阻（Rds(on)）：最大 1.15Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：50W
封装类型：TO-220AB
IRFI840B 具有低导通电阻（Rds(on)）特性，这使得在导通状态下的功率损耗大大降低，提高了整体系统的效率。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了卓越的开关性能，适用于高频开关应用。
此外，IRFI840B 的最大漏源电压可达 500V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率应用环境。
其封装形式为 TO-220AB，具备良好的热管理和机械稳定性，适合在工业级环境中使用。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 至 15V 驱动电压，兼容多种驱动电路设计。
IRFI840B 还具备良好的抗雪崩击穿能力，提高了器件在严苛工作条件下的可靠性。
IRFI840B 主要用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，能够实现高效的能量转换。
在电机控制应用中，它可用于驱动直流电机或步进电机的 H 桥电路。
作为 DC-DC 转换器中的开关元件，IRFI840B 可以有效提升转换效率，尤其是在高输入电压的场合。
此外，该器件还适用于电池管理系统中的负载开关控制，实现对电池供电电路的高效管理。
由于其高耐压特性和良好的热性能，IRFI840B 也广泛用于照明系统（如 HID 灯驱动电路）和工业自动化设备中。
IRF840B, IRF830B, IRFI830B
