型号：IRFH7545
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：29A
　　脉冲漏极电流IDM：116A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：4.7mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：6.4mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=2.5V）：9.5mΩ
　　栅极电荷Qg（典型值）：13nC
　　输入电容Ciss（典型值）：870pF
　　反向恢复时间trr（典型值）：19ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

IRFH7545凭借其先进的Trench沟道MOSFET技术，在低电压功率开关应用中展现出卓越的性能表现。该器件最突出的特性之一是其极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为4.7mΩ，而在较低的栅极驱动电压如4.5V下仍可维持6.4mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于同步整流、电池供电系统以及对效率要求较高的DC-DC降压变换器中。这种低RDS(on)特性直接降低了导通期间的I2R损耗，提升了电源系统的整体能效，尤其在大电流输出场景下优势更为明显。
　　此外，IRFH7545具备良好的栅极电荷（Qg）与输出电荷（Qgd）平衡，典型Qg仅为13nC，配合870pF的输入电容Ciss，使其能够实现快速开关动作，从而有效降低开关损耗，支持更高频率的PWM控制，有利于减小外围滤波元件的体积，提升功率密度。其较短的反向恢复时间trr（典型19ns）也减少了体二极管在换流过程中的能量损耗，避免了因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题，提高了系统在高频切换下的稳定性与可靠性。
　　该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有优良的散热性能，可通过PCB上的铜箔进行有效热传导，满足高功率密度设计的需求。同时，SMD封装形式便于自动化贴片生产，提升制造效率。IRFH7545还具备较强的雪崩耐量能力，能够在瞬态过压或感性负载断开时承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。综合来看，IRFH7545是一款集低导通电阻、快速开关、良好热性能和高可靠性于一体的高性能N沟道MOSFET，适用于多种现代电源管理架构。

IRFH7545广泛应用于多种需要高效、紧凑型功率开关解决方案的电子系统中。其主要应用领域包括同步整流式DC-DC降压转换器（Buck Converter），在这种拓扑结构中，IRFH7545常被用作低边同步整流开关，利用其极低的RDS(on)来减少导通损耗，提高转换效率，尤其适用于服务器电源、通信设备电源模块以及嵌入式处理器供电系统。此外，该器件也常用于负载开关电路，用于控制电源路径的通断，例如在便携式设备中实现不同功能模块的上电时序管理或节能关断，其低导通电阻可最小化电压降和功耗。
　　在电机驱动应用中，IRFH7545可用于H桥或半桥拓扑中的低端开关，驱动小型直流电机或步进电机，其快速开关能力和良好的热性能有助于提升响应速度并防止过热损坏。该MOSFET同样适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，作为充放电通路的主控开关，保障系统的安全与效率。在LED驱动电源中，IRFH7545可用于恒流调节电路中的开关元件，实现高精度调光控制。
　　由于其封装形式为TO-252（DPAK），易于通过PCB散热，因此也常见于工业电源、UPS不间断电源、智能家居控制板以及汽车辅助电子系统（如车窗升降、风扇控制等）中。其宽温度工作范围和高可靠性使其能在恶劣环境下稳定运行。总之，IRFH7545是一款通用性强、适应面广的功率MOSFET，适用于从消费类电子到工业控制等多个领域的电源管理设计。

IRLH7545, IRLU7545, FDS6680A, SI4404DY